Two-stage broadband class-AB high power amplifier design using gan hemt technology

Abstract

Modern radio systems need broadband, high efficiency power amplifiers to cover a wide frequency spectrum with reliable system performance. Linearity is another critical parameter in power amplifier design and there is a trade-off between linearity and efficiency. Class-AB design presents a compromise in terms of linearity and efficiency for the radio frequency systems. In this thesis, two-stages broadband high power amplifier design using GaN HEMT technology is presented. Simulations and measurements are based on the transistor models provided by the manufacturer. The design has minimum 43 % power added efficiency (PAE) and 47.3 dBm output power over the 0.5 - 2.5 GHz operating frequency.

Modern radyo sistemleri, güvenilir sistem performansıyla geniş bir frekans spektrumunu kapsamak için geniş bantlı, yüksek güçlü verimli güç amplifikatörlerine ihtiyaç duyar. Lineerlik güç yükselteci tasarımında diğer bir kritik parametredir ve lineerlik ve verim arasında bir ödünleşim vardır. AB sınıfı tasarım radyo frekansı sistemleri için lineerlik ve verimlilik yönünden bir uzlaşma sunmaktadır. Bu tezde GaN HEMT teknolojisini kullanan iki aşamalı geniş band yüksek güçlü yükselteç tasarımı sunulmaktadır. Simülasyonlar ve ölçümler üretici tarafından sağlanan transistör modellerine dayanmaktadır. Tasarım 0.5 - 2.5 GHz çalışma bandında minimum 43 % güç eklemeli verimlilik ve 47.3 dBm çıkış gücüne sahiptir.